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半導體元器件燒結爐 高溫管式爐

描述：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐主要適用于粉料、顆粒的燒結，并分成動態(tài)與靜態(tài)燒結二大系列，動態(tài)燒結使 物料受熱更均勻、燒結時間縮短等優(yōu)勢。

  • 產品型號：BGS-10-11
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2025-12-10
  • 訪問量：432
產品詳情/ PRODUCT DETAIL

標題：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐

產品概述

產品名稱：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐

一、概述

爐管可選擇配置耐熱鋼、石英玻璃、陶瓷管等材料。

可分為單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等多種管式爐型。

二、規(guī)格、型號

型號：BGS-10-11

爐管尺寸：?133×1200mm(外徑X長度)

爐管材質：SUS310S不銹鋼

燒結時間：可根據(jù)產品工藝調節(jié)

爐體表面溫升：≤45℃(與環(huán)境溫度)

三、技術參數(shù) 

額定功率：≈10KW(實際功率由儀表自動控制調節(jié))

控制精度：±1℃(恒溫狀態(tài)下)

升溫速率：0-15℃/min

爐腔及保溫材料：氧化鋁陶瓷纖維

控制方式：可控硅移相調壓

注：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐等其他型號規(guī)格可以根據(jù)用戶實際需求設計，價格僅參考，歡迎咨詢詳談。

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